2N6591
BJT
NPN
TO202
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO202 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 70 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6591:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6591?
Los reemplazos compatibles para el 2N6591 incluyen: 2SC828, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6584, 2N6585, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6591?
El 2N6591 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO202.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6591?
El 2N6591 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.