2N65KG-TMS4-T

MOSFET N-Channel TO-251S

Parametros Principales

Vds Max. 650.000 V
Id Max. 2.000 A
RDSon 5.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 44.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-251S
tr - Rise Time 40 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 33 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 44 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 650 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N65KG-TMS4-T:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N65KG-TMS4-T?

Los reemplazos compatibles para el 2N65KG-TMS4-T incluyen: 2N65KG-TND-R, 2N65KL-TM3-T, 2N65KG-TM3-T, 2N65KL-TMS-T, 2N65KG-TMS-T, 2N65KL-TMS2-T, 2N65KG-TMS2-T, 2N65KL-TMS4-T, 2N65KL-TN3-R, 2N65KG-TN3-R, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N65KG-TMS4-T?

El 2N65KG-TMS4-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251S.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N65KG-TMS4-T?

El 2N65KG-TMS4-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.

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