2N65N
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
4.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
34.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N65N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N65N?
Los reemplazos compatibles para el 2N65N incluyen: 2N65F, 2N65E, 2N65D, 2N65M.
¿Que tipo de transistor es el 2N65N?
El 2N65N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N65N?
El 2N65N tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.