2N66
BJT
PNP
MM1
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.800 A
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
80.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MM1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.8 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 80 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N66:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N66?
Los reemplazos compatibles para el 2N66 incluyen: 2SD2012, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6592, 2N6593, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N66?
El 2N66 es un transistor BJT PNP en encapsulado MM1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N66?
El 2N66 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.
