2N6601
BJT
NPN
TO33-1
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO33-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1000 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 1.2 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6601:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6601?
Los reemplazos compatibles para el 2N6601 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6595, 2N6596, 2N6597, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6601?
El 2N6601 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO33-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6601?
El 2N6601 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.