2N6653-3
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 25 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 300 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6653-3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6653-3?
Los reemplazos compatibles para el 2N6653-3 incluyen: 2SC2073, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N663, 2N6648, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6653-3?
El 2N6653-3 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6653-3?
El 2N6653-3 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.