2N6656
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
35.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
1.8000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 35 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6656:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6656?
Los reemplazos compatibles para el 2N6656 incluyen: 2N5045, 2N5484, 2N5485, 2N5486, 2N6657, 2N6658, 2N6659, 2N6659-LCC4, 2N6659-SM, 2N6660, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6656?
El 2N6656 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6656?
El 2N6656 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 35.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.