2N6660CSM4
MOSFET
N-Channel
LCC3
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC3 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6660CSM4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6660CSM4?
Los reemplazos compatibles para el 2N6660CSM4 incluyen: 2N7000, 2N60AF, 2N60G, 2N6568, 2N6659-2, 2N6659X, 2N6660-2, 2N6660C4A, 2N6661-2, 2N6661CSM4, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6660CSM4?
El 2N6660CSM4 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6660CSM4?
El 2N6660CSM4 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.