2N6661
MOSFET
N-Channel
TO39
Parametros Principales
Vds Max.
90.000 V
Id Max.
0.900 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
6.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO39 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 50 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 6.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 90 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6661:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6661?
Los reemplazos compatibles para el 2N6661 incluyen: 2N6659-LCC4, 2N6659-SM, 2N6660, 2N6660JAN, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV, 2N6660-LCC4, 2N6660-SM, 2N6661-220M, 2N6661JAN, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6661?
El 2N6661 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO39.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6661?
El 2N6661 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 90.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.900 A.