2N6661CSM4
MOSFET
N-Channel
LCC3
Parametros Principales
Vds Max.
90.000 V
Id Max.
0.900 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC3 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 90 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6661CSM4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6661CSM4?
Los reemplazos compatibles para el 2N6661CSM4 incluyen: 2N60G, 2N6568, 2N6659-2, 2N6659X, 2N6660-2, 2N6660C4A, 2N6660CSM4, 2N6661-2, 2N6661DCSM, 2N6661M1A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6661CSM4?
El 2N6661CSM4 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6661CSM4?
El 2N6661CSM4 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 90.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.900 A.