2N6661JANTXV

MOSFET N-Channel TO39

Parametros Principales

Vds Max. 90.000 V
Id Max. 2.000 A
RDSon 4.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 6.250 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO39
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 50 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 6.25 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 90 V
|VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage 2 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 4 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6661JANTXV:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6661JANTXV?

Los reemplazos compatibles para el 2N6661JANTXV incluyen: 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV, 2N6660-LCC4, 2N6660-SM, 2N6661, 2N6661-220M, 2N6661JAN, 2N6661JANTX, 2N6661-LCC4, 2N6661SM, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6661JANTXV?

El 2N6661JANTXV es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO39.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6661JANTXV?

El 2N6661JANTXV tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 90.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.

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