2N6670

BJT NPN TO220

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 100.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 10.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 40 MHz
Collector Capacitance (Cc) 50 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 10 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6670:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6670?

Los reemplazos compatibles para el 2N6670 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6655-2, 2N6655A, 2N6655B, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6670?

El 2N6670 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6670?

El 2N6670 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

Scroll al inicio