2N6701
BJT
NPN
U126
Parametros Principales
Vce Max.
27.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
1.200 W
Tj Max.
300.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | U126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 27 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 300 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6701:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6701?
Los reemplazos compatibles para el 2N6701 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6689, 2N669, 2N6690, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6701?
El 2N6701 es un transistor BJT NPN en encapsulado U126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6701?
El 2N6701 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 27.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.