2N6709

BJT PNP TO92

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 2.000 A
hFE Min 40.000
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6709:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6709?

Los reemplazos compatibles para el 2N6709 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5198, 2N6701, 2N6702, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6709?

El 2N6709 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6709?

El 2N6709 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.

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