2N6717

BJT NPN TO92

Parametros Principales

Vce Max. 80.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 2.000 A
hFE Min 80.000
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 80 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 80

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6717:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6717?

Los reemplazos compatibles para el 2N6717 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N671, 2N6710, 2N6711, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6717?

El 2N6717 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6717?

El 2N6717 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.

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