2N6758JANTX
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 30 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 450 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 4 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6758JANTX:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6758JANTX?
Los reemplazos compatibles para el 2N6758JANTX incluyen: 2N6756JAN, 2N6756JANTX, 2N6756JANTXV, 2N6756JTX, 2N6756JTXV, 2N6757, 2N6758, 2N6758JAN, 2N6758JANTXV, 2N6758JTX, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6758JANTX?
El 2N6758JANTX es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6758JANTX?
El 2N6758JANTX tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.