2N676
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
1000.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
140.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 30 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 140 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 1000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N676:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N676?
Los reemplazos compatibles para el 2N676 incluyen: 2N2222, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6739, 2N674, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N676?
El 2N676 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N676?
El 2N676 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.