2N6761
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6761:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6761?
Los reemplazos compatibles para el 2N6761 incluyen: 2N6758JTXV, 2N6759, 2N6760, 2N6760JAN, 2N6760JANTX, 2N6760JANTXV, 2N6760JTX, 2N6760JTXV, 2N6762, 2N6762JAN, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6761?
El 2N6761 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6761?
El 2N6761 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.