2N6775
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
550.000 V
Ic Max.
30.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
175.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 15 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 30 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 550 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 175 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6775:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6775?
Los reemplazos compatibles para el 2N6775 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6753, 2N6754, 2N676, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6775?
El 2N6775 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.