2N6788LCC4
MOSFET
N-Channel
LCC4
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
4.500 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
14.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC4 |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 14 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6788LCC4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6788LCC4?
Los reemplazos compatibles para el 2N6788LCC4 incluyen: 13N50, 2N6661-2, 2N6661CSM4, 2N6661DCSM, 2N6661M1A, 2N6782U, 2N6784U, 2N6786U, 2N6788L, 2N6788U, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6788LCC4?
El 2N6788LCC4 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC4.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6788LCC4?
El 2N6788LCC4 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.500 A.