2N6789LCC4
MOSFET
N-Channel
LCC4
Parametros Principales
Vds Max.
150.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
0.8000 Ω
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC4 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 150 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6789LCC4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6789LCC4?
Los reemplazos compatibles para el 2N6789LCC4 incluyen: 2N6787, 2N6787LCC4, 2N6787-SM, 2N6788, 2N6788JANTX, 2N6788JANTXV, 2N6788SM, 2N6789, 2N6789-SM, 2N6790, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6789LCC4?
El 2N6789LCC4 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC4.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6789LCC4?
El 2N6789LCC4 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 150.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.