2N6796U

MOSFET N-Channel LCC18

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 8.000 A
RDSon 0.1800 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 25.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package LCC18
tr - Rise Time 75 nS
Type of Control Channel N-Channel
|Id| - Maximum Drain Current 8 A
Pd - Maximum Power Dissipation 25 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.18 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6796U:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6796U?

Los reemplazos compatibles para el 2N6796U incluyen: 2N6786U, 2N6788L, 2N6788LCC4, 2N6788U, 2N6790U, 2N6792U, 2N6794U, 2N6796LCC4, 2N6798U, 2N6800LCC4, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6796U?

El 2N6796U es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC18.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6796U?

El 2N6796U tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.

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