2N6798U
MOSFET
N-Channel
LCC18
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
5.500 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC18 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6798U:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6798U?
Los reemplazos compatibles para el 2N6798U incluyen: 2N6788L, 2N6788LCC4, 2N6788U, 2N6790U, 2N6792U, 2N6794U, 2N6796LCC4, 2N6796U, 2N6800LCC4, 2N6800U, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6798U?
El 2N6798U es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6798U?
El 2N6798U tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.500 A.