2N6806
MOSFET
P-Channel
TO-3
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
6.500 A
RDSon
0.8000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| tr - Rise Time | 100 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6806:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6806?
Los reemplazos compatibles para el 2N6806 incluyen: 2N5953, 2N6449, 2N6450, 2N6451, 2N6452, 2N6453, 2N6454, 2N6804, 2N7091, 2N7288D, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6806?
El 2N6806 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6806?
El 2N6806 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.500 A.