2N7000P
MOSFET
N-Channel
ELINE
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.200 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
40.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ELINE |
| ton - Turn-on Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 40 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7000P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7000P?
Los reemplazos compatibles para el 2N7000P incluyen: 2N6967JANTXV, 2N6968, 2N6968JANTX, 2N6968JANTXV, 2N6969, 2N6969JANTX, 2N6969JANTXV, 2N7000, 2N7001, 2N7002, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N7000P?
El 2N7000P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ELINE.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7000P?
El 2N7000P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.200 A.