2N7002BKM
MOSFET
N-Channel
SOT883
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.450 A
RDSon
1.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.360 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT883 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.45 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.36 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.1 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002BKM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002BKM?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002BKM incluyen: 2N7002BK, 2N7002BKS, 2N7002BKT, 2N7002BKV, 2N7002BKW, 2N7002CK, 2N7002F, 2N7002P, 2N7002PS.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002BKM?
El 2N7002BKM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT883.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002BKM?
El 2N7002BKM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.450 A.