2N7002ED

MOSFET N-Channel SOT363

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 0.340 A
RDSon 5.0000 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 0.150 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT363
Marking Code .72K
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 30 max pF
|Id| - Maximum Drain Current 0.34 A
Pd - Maximum Power Dissipation 0.15 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
|VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage 2.5 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002ED:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N7002ED?

Los reemplazos compatibles para el 2N7002ED incluyen: 2N7002ET, 2N7002EW.

¿Que tipo de transistor es el 2N7002ED?

El 2N7002ED es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT363.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002ED?

El 2N7002ED tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.340 A.

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