2N7002ELT1
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.310 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.225 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.31 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 1.8 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002ELT1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002ELT1?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002ELT1 incluyen: 2N4003NLT1, 2N7002DW1T1, 2N7002LT1, 2N7002NT1, 2N7002WT1.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002ELT1?
El 2N7002ELT1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002ELT1?
El 2N7002ELT1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.310 A.