2N7002ESEGP

MOSFET N-Channel SOT-323

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 0.115 A
RDSon 7.5000 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 0.225 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT-323
tr - Rise Time 20 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 10 pF
|Id| - Maximum Drain Current 0.115 A
Pd - Maximum Power Dissipation 0.225 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
|VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage 2.5 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 7.5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002ESEGP:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N7002ESEGP?

Los reemplazos compatibles para el 2N7002ESEGP incluyen: 2N7002C1A, 2N7002C1B, 2N7002C1C, 2N7002C1D, 2N7002CSM, 2N7002DCSM, 2N7002DSGP, 2N7002EGP, 2N7002ESGP, 2N7002-G, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N7002ESEGP?

El 2N7002ESEGP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-323.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002ESEGP?

El 2N7002ESEGP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.115 A.

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