2N7002ET
MOSFET
N-Channel
SOT523
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.115 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT523 |
| Marking Code | K72 |
| tr - Rise Time | 3.4 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 0.3 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4.2 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.115 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.5 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002ET:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002ET?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002ET incluyen: 2N7002ED, 2N7002EW.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002ET?
El 2N7002ET es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT523.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002ET?
El 2N7002ET tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.115 A.