2N7002H
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.170 A
RDSon
7.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.370 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 2.9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2.8 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.37 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002H?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002H incluyen: 2N7002AQ.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002H?
El 2N7002H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002H?
El 2N7002H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.170 A.