2N7002HW
MOSFET
N-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.300 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 15 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002HW:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002HW?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002HW incluyen: 2N7002HT, 2N7002HL.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002HW?
El 2N7002HW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002HW?
El 2N7002HW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.300 A.