2N7002KDW
MOSFET
N-Channel
SOT363
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.115 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT363 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.115 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2N7002KDW?
El 2N7002KDW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT363.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002KDW?
El 2N7002KDW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.115 A.