2N7002NT1
MOSFET
N-Channel
SC89
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.154 A
RDSon
7.0000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC89 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.154 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002NT1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002NT1?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002NT1 incluyen: 2N4003NLT1, 2N7002DW1T1, 2N7002ELT1, 2N7002LT1, 2N7002WT1.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002NT1?
El 2N7002NT1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC89.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002NT1?
El 2N7002NT1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.154 A.