2N7002PV
MOSFET
N-Channel
SOT666
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.350 A
RDSon
1.6000 Ω
Potencia Max.
0.330 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT666 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.35 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.33 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002PV:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002PV?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002PV incluyen: 2N7002BKT, 2N7002BKV, 2N7002BKW, 2N7002CK, 2N7002F, 2N7002P, 2N7002PS, 2N7002PT, 2N7002PW.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002PV?
El 2N7002PV es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT666.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002PV?
El 2N7002PV tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.350 A.