2N7002V
MOSFET
N-Channel
SOT563F
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.280 A
RDSon
7.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT563F |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7002V:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7002V?
Los reemplazos compatibles para el 2N7002V incluyen: 2N7000BU, 2N7000TA, 2N7002DW, 2N7002K, 2N7002KW, 2N7002MTF, 2N7002T, 2N7002VA, 2N7002W.
¿Que tipo de transistor es el 2N7002V?
El 2N7002V es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT563F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7002V?
El 2N7002V tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.280 A.