2N7092
MOSFET
P-Channel
TO-257AB
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-257AB |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7092:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7092?
Los reemplazos compatibles para el 2N7092 incluyen: 2N7002TGP, 2N7002VGP, 2N7002WSK, 2N7002W-TP, 2N7002X, 2N7081-220M-ISO, 2N7089, 2N7090, 2N7218U, 2N7219U, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N7092?
El 2N7092 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-257AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7092?
El 2N7092 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.