2N709A-51
BJT
NPN
TO51
Parametros Principales
Vce Max.
6.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO51 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 800 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 6 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N709A-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N709A-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N709A-51 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N708-46, 2N708-51, 2N708A, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N709A-51?
El 2N709A-51 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO51.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N709A-51?
El 2N709A-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 6.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.