2N729

BJT NPN TO18

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 30.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO18
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 70 MHz
Collector Capacitance (Cc) 16 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N729:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N729?

Los reemplazos compatibles para el 2N729 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5200, 2N721, 2N721A, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N729?

El 2N729 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N729?

El 2N729 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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