2N7335E3
MOSFET
P-Channel
MO-036AB
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.750 A
RDSon
1.4000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MO-036AB |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N7335E3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N7335E3?
Los reemplazos compatibles para el 2N7335E3 incluyen: 2N7278, 2N7281, 2N7291, 2N7293, 2N7295, 2N7297, 2N7334, 2N7335, 2N7380, 2N7381, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N7335E3?
El 2N7335E3 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado MO-036AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N7335E3?
El 2N7335E3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.750 A.