2N779B
BJT
PNP
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.060 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 320 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.06 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N779B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N779B?
Los reemplazos compatibles para el 2N779B incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N773, 2N774, 2N775, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N779B?
El 2N779B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N779B?
El 2N779B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.