2N806
BJT
PNP
U9
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.400 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | U9 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.4 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N806:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N806?
Los reemplazos compatibles para el 2N806 incluyen: 2N3904, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N799, 2N80, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N806?
El 2N806 es un transistor BJT PNP en encapsulado U9.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N806?
El 2N806 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.400 A.