2N80G-TA3-T

MOSFET N-Channel TO220

Parametros Principales

Vds Max. 800.000 V
Id Max. 2.400 A
RDSon 6.3000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 85.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220
tr - Rise Time 60 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 45 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 85 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 800 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 6.3 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N80G-TA3-T:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N80G-TA3-T?

Los reemplazos compatibles para el 2N80G-TA3-T incluyen: 2N65G-T60-K, 2N65L-T6C-K, 2N65G-K08-5060-R, 2N7002G-AE2-R, 2N7002KL-AE2-R, 2N7002KG-AE2-R, 2N7002ZDWG-AL6-R, 2N80L-TA3-T, 2N80L-TF1-T, 2N80G-TF1-T, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N80G-TA3-T?

El 2N80G-TA3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N80G-TA3-T?

El 2N80G-TA3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.400 A.

Scroll al inicio