2N80G-TN3-R
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
2.400 A
RDSon
6.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
43.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 6.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N80G-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N80G-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 2N80G-TN3-R incluyen: 2N80L-TF1-T, 2N80G-TF1-T, 2N80L-TF2-T, 2N80G-TF2-T, 2N80L-TF3-T, 2N80L-TM3-R, 2N80G-TM3-R, 2N80L-TN3-R, 2N80L-TND-R, 2N80G-TND-R, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N80G-TN3-R?
El 2N80G-TN3-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N80G-TN3-R?
El 2N80G-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.400 A.