2N816
BJT
NPN
U9
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | U9 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N816:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N816?
Los reemplazos compatibles para el 2N816 incluyen: 2SC2073, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N809, 2N81, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N816?
El 2N816 es un transistor BJT NPN en encapsulado U9.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N816?
El 2N816 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.