2N817
BJT
NPN
U8
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.400 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | U8 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.4 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N817:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N817?
Los reemplazos compatibles para el 2N817 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N81, 2N810, 2N811, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N817?
El 2N817 es un transistor BJT NPN en encapsulado U8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N817?
El 2N817 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.400 A.