2N829
BJT
PNP
TO18
Parametros Principales
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 7 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N829:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N829?
Los reemplazos compatibles para el 2N829 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N822, 2N823, 2N824, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N829?
El 2N829 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO18.