2N930-51
BJT
NPN
TO51
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO51 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N930-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N930-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N930-51 incluyen: 2N2222A, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N928, 2N929, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N930-51?
El 2N930-51 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO51.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N930-51?
El 2N930-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.