2N998

BJT NPN TO72-3

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 100.000 V
Ic Max. 0.500 A
hFE Min 1600.000
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO72-3
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 30 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 15 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 1600

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N998:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N998?

Los reemplazos compatibles para el 2N998 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N991, 2N992, 2N993, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N998?

El 2N998 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO72-3.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N998?

El 2N998 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.

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