2P308B9
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
0.020 A
RDSon
250.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.02 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.08 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 100 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 250 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P308B9:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P308B9?
Los reemplazos compatibles para el 2P308B9 incluyen: 2P302A, 2P308A9, 2P308G9, 2P308D9, 2P601A9, 2P7154AC, 2P7154BC, 2P7154VC, 2P802A, 2P819A.
¿Que tipo de transistor es el 2P308B9?
El 2P308B9 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P308B9?
El 2P308B9 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.020 A.